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發(fā)布時(shí)間:2022年09月28日 作者:德國(guó)GMC-I高美測(cè)儀(上海電勵(lì)士)
☆ 串I-V曲線測(cè)量
☆ 紅外測(cè)量
備注:通常情況第2類測(cè)試適用
于中大型電站系統(tǒng)抽樣測(cè)試,抽樣 比例需要和客戶事先商定
組串I-V曲線測(cè)量可獲得如下信息:
☆ 開(kāi)路電壓Voc、短路電流Isc
☆ Vmpp、Impp、最大功率Pmax u方陣性能的測(cè)量值 u組件/組串填充系數(shù) u識(shí)別組件/陣列缺陷或遮光問(wèn)題
備注:I-V曲線測(cè)試儀可同時(shí)轉(zhuǎn)換為STC狀態(tài)下的功率值,用于和銘牌標(biāo)稱值進(jìn)行對(duì)比
☆ 確保待測(cè)組串和逆變器斷開(kāi)
☆ 被測(cè)試組串應(yīng)該隔離并連接到I-V曲線測(cè)試設(shè)備。
☆ 根據(jù)被測(cè)試組件的特性、類型和數(shù)量對(duì)測(cè)試儀器進(jìn)行設(shè)置。
☆ 與I-V 曲線測(cè)試儀相關(guān)的輻照度計(jì)應(yīng)安裝成與陣列平面匹配,并對(duì)其進(jìn)行檢查以確保其不受任何局部遮光或反射光的影響。
☆ 在使用參考電池裝置的情況下,應(yīng)對(duì)其進(jìn)行檢查,以確保其與被測(cè)陣列具有相同的電池技術(shù),或者針對(duì)技術(shù)上的差異進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?nbsp;
☆ 測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)換為STC狀態(tài)下的功率值
該測(cè)試主要著眼于陣列中的異常溫度變化,通常這些異常的溫度變化是各種故障造成:
☆ IR測(cè)試結(jié)果 – 組件熱斑
通常組件溫度應(yīng)相對(duì)均勻,無(wú)明顯溫差區(qū)域,但組件在接線盒周圍更熱,因?yàn)闊崃坎粫?huì)被傳 導(dǎo)到周圍環(huán)境,另外組件在邊緣、標(biāo)簽、周邊和支撐處看到溫度梯度也是正常的。
☆ IR測(cè)試結(jié)果 - 旁路二極管
如果任何旁路二極管是熱的(打開(kāi)的),檢查尋找明顯的原因,例如由于二極管保護(hù)的組件上的遮擋或碎片。如果沒(méi)有明顯的原因,可以懷疑是一個(gè)壞的組件。
☆ IR測(cè)試結(jié)果 - 電纜連接
組件之間的電線連接不應(yīng)顯著高于電線本身。如果連接更熱,請(qǐng)檢查連接是否松動(dòng)或被腐蝕。
EC62446-1:2018版標(biāo)準(zhǔn)主要分兩部分:系統(tǒng)文檔要求和驗(yàn)證要求
與2016版相比,系統(tǒng)文檔要求基本沒(méi)有變化,對(duì)驗(yàn)證要求中測(cè)試細(xì)節(jié)做了優(yōu)化,例如對(duì)于測(cè)試結(jié)果的比對(duì)做了詳細(xì)說(shuō)明并給出限值,增加1000v以上組件的絕緣電阻測(cè)試。
保留了2016版的附錄D,對(duì)于I-V曲線畸變的原因的判讀,有很高的參考意義
國(guó)內(nèi)針對(duì)IEC62446.1-2018版推出團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CPIA 0010,在IEC原版基礎(chǔ)上根據(jù)國(guó)情做了內(nèi)容上大幅度的增加,刪減,變更,可參考。